Как было объявлено 8 октября этого года, компания Samsung начала массовое производство флэш-памяти, сделанной по технологии 3-битных многоуровневых ячеек 3D Vertical NAND (V-NAND)
Этот сайт использует cookies. Продолжая работу с сайтом, Вы выражаете своё согласие на обработку Ваших персональных данных. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера. Политика использования cookies